裝置參數(shù) | 指標(biāo) | 備注 |
裝置簡(jiǎn)介 | 使用脈沖電流注入法把威脅級(jí)瞬態(tài)電流脈沖耦合到射頻天線電磁屏蔽體的外部導(dǎo)體上,測(cè)試安裝有電氣耦合通道保護(hù)器件的系統(tǒng)或工作電路是否具有規(guī)定要求的瞬態(tài)抑制/衰減功能,證明關(guān)鍵設(shè)備/子系統(tǒng)沒(méi)有 受到剩余瞬時(shí)應(yīng)力的干擾和損傷。 | |
脈沖源電壓 | 0.2kV-25kV(可定制最高3MV脈沖源) |
電流波形參數(shù)滿足 MIL-STD-188-125 -2/charge line 標(biāo)準(zhǔn) |
脈沖電流 | 40A-400A | |
脈沖電流上升沿 | <5ns | |
脈沖電流半高寬 | 1-100ns 定制 | |
控制方式 | 觸摸屏控制 | |
典型波形 (50Ω 匹配負(fù)載) |
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裝置參數(shù) | 指標(biāo) | 備注 |
裝置簡(jiǎn)介 | 使用脈沖電流注入法把威脅級(jí)瞬態(tài)電流脈沖耦合到射頻天線電磁屏蔽體的外部導(dǎo)體上,測(cè)試安裝有電氣耦合通道保護(hù)器件的系統(tǒng)或工作電路是否具有規(guī)定要求的瞬態(tài)抑制/衰減功能,證明關(guān)鍵設(shè)備/子系統(tǒng)沒(méi)有 受到剩余瞬時(shí)應(yīng)力的干擾和損傷。 | |
脈沖源電壓 | 0.2kV-25kV(可定制最高3MV脈沖源) |
電流波形參數(shù)滿足 MIL-STD-188-125 -2/charge line 標(biāo)準(zhǔn) |
脈沖電流 | 40A-400A | |
脈沖電流上升沿 | <5ns | |
脈沖電流半高寬 | 1-100ns 定制 | |
控制方式 | 觸摸屏控制 | |
典型波形 (50Ω 匹配負(fù)載) |
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